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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S21050LR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S21050LR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S21050LR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S21050LR3

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S21050LR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6S21050LR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF6S21050LR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF6S21050LR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.16GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica 11.5W
Tensione - stimata 68V
Pacchetto/caso NI-400
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-400
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6S21050LR3

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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