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MRF8P26080HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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MRF8P26080HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

MRF8P26080HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
MRF8P26080HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  MRF8P26080HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MRF8P26080HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

descrizione
Numero del pezzo: MRF8P26080HSR5 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

MRF8P26080HSR5 Specifications

Part Status Discontinued at Digi-Key
Transistor Type LDMOS (Dual)
Frequency 2.62GHz
Gain 15dB
Voltage - Test 28V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 300mA
Power - Output 14W
Voltage - Rated 65V
Package / Case NI-780S-4
Supplier Device Package NI-780S-4
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

MRF8P26080HSR5 Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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