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MRF8S8260HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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MRF8S8260HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

MRF8S8260HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
MRF8S8260HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Grande immagine :  MRF8S8260HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MRF8S8260HSR3 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S8260HSR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 70V 895MHZ NI880S Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

MRF8S8260HSR3 Specifications

Part Status Obsolete
Transistor Type LDMOS
Frequency 895MHz
Gain 21.1dB
Voltage - Test 28V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 1.5A
Power - Output 70W
Voltage - Rated 70V
Package / Case 2-Case 465C-03
Supplier Device Package NI-880S
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

MRF8S8260HSR3 Packaging

Detection

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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