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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR6

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR6

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR6
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR6

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR6

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP8600HR6

descrizione
Numero del pezzo: MRFE6VP8600HR6 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRFE6VP8600HR6

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 860MHz
Guadagno 19.3dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.4A
Uscita elettrica 125W
Tensione - stimata 130V
Pacchetto/caso NI-1230
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRFE6VP8600HR6

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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