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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S23120HR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S23120HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S23120HR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S23120HR3

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S23120HR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S23120HR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S23120HR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S23120HR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.3GHz
Guadagno 16dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 800mA
Uscita elettrica 28W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S23120HR3

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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