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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di MAGX-001090-700L0S

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di MAGX-001090-700L0S

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di MAGX-001090-700L0S

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di MAGX-001090-700L0S

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di MAGX-001090-700L0S

descrizione
Numero del pezzo: MAGX-001090-700L0S Produttore: Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione: TRANSISTOR RF 700W GAN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di MAGX-001090-700L0S

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 1.03GHz ~ 1.09GHz
Guadagno 20.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 31A
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 700W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di MAGX-001090-700L0S

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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