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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00

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Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00

descrizione
Numero del pezzo: MAGX-001214-650L00 Produttore: Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione: TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MAGX-001214-650L00

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 1.2GHz ~ 1.4GHz
Guadagno 19.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 27A
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 500W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MAGX-001214-650L00

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MAGX-001214-650L00 3

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