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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP10H603AZ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP10H603AZ

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP10H603AZ

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP10H603AZ

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di BLP10H603AZ

descrizione
Numero del pezzo: BLP10H603AZ Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di BLP10H603AZ

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 860MHz
Guadagno 22.8dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 15mA
Uscita elettrica 2.5W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso 12-VDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 12-HVSON (5x6)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di BLP10H603AZ

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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