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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPT1007B

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPT1007B

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPT1007B
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di NPT1007B
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
NPT1007B
Produttore:
Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione:
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di NPT1007B

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 900MHz
Guadagno 18.3dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 20.5A
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.4A
Uscita elettrica 53dBm
Tensione - stimata 100V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di NPT1007B

Rilevazione

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