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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40006S

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40006S

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40006S

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40006S

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di CGH40006S

descrizione
Numero del pezzo: CGH40006S Produttore: Cree/Wolfspeed
Descrizione: FET RF 84V 6GHZ 6QFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche di CGH40006S

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 0Hz ~ 6GHz
Guadagno 12dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 8W
Tensione - stimata 84V
Pacchetto/caso 6-VDFN ha esposto il cuscinetto
Pacchetto del dispositivo del fornitore 6-QFN-EP (3x3)
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di CGH40006S

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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