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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1513NT1

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1513NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1513NT1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1513NT1

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1513NT1

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF1513NT1

descrizione
Numero del pezzo: MRF1513NT1 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF1513NT1

Stato della parte Non per le nuove progettazioni
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 520MHz
Guadagno 15dB
Tensione - prova 12.5V
Valutazione corrente 2A
Figura di rumore -
Corrente - prova 50mA
Uscita elettrica 3W
Tensione - stimata 40V
Pacchetto/caso PLD-1.5
Pacchetto del dispositivo del fornitore PLD-1.5
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF1513NT1

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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