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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S010GNR1

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S010GNR1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S010GNR1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S010GNR1

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S010GNR1

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MW6S010GNR1

descrizione
Numero del pezzo: MW6S010GNR1 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MW6S010GNR1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 960MHz
Guadagno 18dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 125mA
Uscita elettrica 10W
Tensione - stimata 68V
Pacchetto/caso Ala del gabbiano TO-270-2
Pacchetto del dispositivo del fornitore GABBIANO TO-270-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MW6S010GNR1

Rilevazione

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