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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HR6

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HR6

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HR6
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HR6

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HR6

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19260HR6

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S19260HR6 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S19260HR6

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 1.99GHz
Guadagno 18.2dB
Tensione - prova 30V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.6A
Uscita elettrica 74W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1110A
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI1230-8
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S19260HR6

Rilevazione

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Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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