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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3

descrizione
Numero del pezzo: MRF8S19140HSR3 Produttore: NXP USA Inc.
Descrizione: FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche MRF8S19140HSR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 1.96GHz
Guadagno 19.1dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.1A
Uscita elettrica 34W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780S
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780S
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S19140HSR3

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3 0Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3 1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3 2Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S19140HSR3 3

Prodotto Tag:

Transistor di effetto del giacimento del FET,

Transistor del Mosfet di potere,

Transistor di effetto di campo del chip 75VPower del Mosfet

Dettagli di contatto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona di contatto: Darek

Telefono: +8615017926135

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