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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G38LS-50,112

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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G38LS-50,112

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G38LS-50,112
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G38LS-50,112

Grande immagine :  Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G38LS-50,112

Dettagli:
Luogo di origine: Originale
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Negoziabile
Prezzo: Negotiable
Tempi di consegna: Negoziabile
Termini di pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 100000

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo BLF6G38LS-50,112

descrizione
Numero del pezzo: BLF6G38LS-50,112 Produttore: Ampleon USA Inc.
Descrizione: FET LDMOS 65V 14DB SOT502B di RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia: Transistor - FETs, MOSFETs - rf

Specifiche BLF6G38LS-50,112

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 3.4GHz ~ 3.6GHz
Guadagno 14dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 16.5A
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica 9W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-502B
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT502B
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare BLF6G38LS-50,112

Rilevazione

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Persona di contatto: Darek

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