Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF7910PBF Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF7910PBF

Bagian Status Dihentikan di Digi-Key
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 12V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 10A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1730pF @ 6V
Daya - Maks 2W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF7910PBF

Deteksi

IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2IRF7910PBF Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)