Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array
IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Gambar besar :  IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: IRF7379QTRPBF Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: HEXFET®

Spesifikasi IRF7379QTRPBF

Bagian Status Usang
Tipe FET N dan P-Saluran
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 5.8A, 4.3A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 25nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 520pF @ 25V
Daya - Maks 2,5W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok 8-SO
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRF7379QTRPBF

Deteksi

IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 0IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 1IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 2IRF7379QTRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)