Mengirim pesan
Rumah ProdukTransistor Efek Medan

BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

I 'm Online Chat Now

BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array
BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Gambar besar :  BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Detail produk:
Tempat asal: Asli
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: bisa dinegosiasikan
Harga: Negotiable
Waktu pengiriman: bisa dinegosiasikan
Syarat-syarat pembayaran: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 100000

BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array

Deskripsi
Nomor Bagian: BSO200N03 Pabrikan: Teknologi Infineon
Keterangan: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO kategori: Transistor - FET, MOSFET - Array
Keluarga: Transistor - FET, MOSFET - Array Seri: OptiMOS™

Spesifikasi BSO200N03

Bagian Status Usang
Tipe FET 2 Saluran-N (Ganda)
Fitur FET Gerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 6.6A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 13µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 8nC @ 5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1010pF @ 15V
Daya - Maks 1,4W
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket / Kasus 8-SOIC (Lebar 0,154", 3,90 mm)
Paket Perangkat Pemasok PG-DSO-8
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan BSO200N03

Deteksi

BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 0BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 1BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 2BSO200N03 Transistor Efek Medan Transistor FETs MOSFET Array 3

Rincian kontak
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Kontak Person: Darek

Tel: +8615017926135

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)