Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF8P8300HSR5 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF8P8300HSR5 specificaties

Deelstatus Beëindigd bij digi-Sleutel
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 820MHz
Aanwinst 20.9dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 2A
Macht - Output 96W
Geschat voltage - 70V
Pakket/Geval Ni-1230S
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-1230S
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF8P8300HSR5 verpakking

Opsporing

MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF8P8300HSR5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)