Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: MRF8P26080HR3 Fabrikant: Inc. van NXP de V.S.
Beschrijving: FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780-4 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

MRF8P26080HR3 specificaties

Deelstatus Verouderd
Transistortype (Dubbele) LDMOS
Frequentie 2.62GHz
Aanwinst 15dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie -
Geluidsniveau -
Huidig - Test 300mA
Macht - Output 14W
Geschat voltage - 65V
Pakket/Geval Ni-780-4
Het Pakket van het leveranciersapparaat Ni-780-4
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

MRF8P26080HR3 verpakking

Opsporing

MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2MRF8P26080HR3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)