Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Ik ben online Chatten Nu

NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander
NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Grote Afbeelding :  NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander

beschrijving
Artikelnummer: NPT1004D Fabrikant: M/A-Com Technologieoplossingen
Beschrijving: HEMT n-CH 28V 45W gelijkstroom-4GHZ 8SOIC Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - rf

NPT1004D specificaties

Deelstatus Actief
Transistortype HEMT
Frequentie 0Hz ~ 4GHz
Aanwinst 13dB
Voltage - Test 28V
Huidige Classificatie 9.5A
Geluidsniveau -
Huidig - Test 350mA
Macht - Output 37dBm
Geschat voltage - 100V
Pakket/Geval 8-SOIC (0,154“, 3.90mm Breedte) Blootgesteld Stootkussen
Het Pakket van het leveranciersapparaat 8-SOP2
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

NPT1004D verpakking

Opsporing

NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 0NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 1NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 2NPT1004D gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs rf Spaander 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)