NAND512R3A2SE06 ชิป IC หน่วยความจำ
ประเภท:
ชิป IC หน่วยความจำ
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
คำอธิบาย:
ไอซีแฟลช 512MBIT
ส่วนจำนวน:
NAND512R3A2SE06
ผู้ผลิต:
ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
หมวดหมู่:
หน่วยความจำ
ตระกูล:
หน่วยความจำ
คําแนะนํา
ข้อมูลจำเพาะ NAND512R3A2SE06
| สถานะชิ้นส่วน | ล้าสมัย |
|---|---|
| รูปแบบหน่วยความจำ | แฟลช |
| ประเภทหน่วยความจำ | แฟลช - NAND |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512M (64M x 8) |
| ความเร็ว | - |
| อินเตอร์เฟซ | ขนาน |
| แรงดัน-จ่าย | 1.7 โวลต์ ~ 1.95 โวลต์ |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | - |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | - |
| การจัดส่ง | UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส |
| สภาพ | ใหม่เดิมโรงงาน. |
NAND512R3A2SE06 บรรจุภัณฑ์
การตรวจจับ
ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable