ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > โมดูลพลังงาน IGBT > IKD15N60R IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว

IKD15N60R IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว

ประเภท:
โมดูลพลังงาน IGBT
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
คำอธิบาย:
ไอจีบีที 600V 30A 250W TO252-3
ส่วนจำนวน:
IKD15N60R
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยี Infineon
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ชุด:
TrenchStop®
คําแนะนํา

ข้อมูลจำเพาะ IKD15N60R

สถานะชิ้นส่วน ล้าสมัย
ประเภท IGBT ร่องลึก
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด) 600V
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด) 30A
ปัจจุบัน - นักสะสมเป็นพัลซิ่ง (Icm) 45A
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
กำลัง - สูงสุด 250W
พลังงานสวิตชิ่ง 900µJ
ประเภทอินพุต มาตรฐาน
ค่าผ่านประตู 90nC
Td (เปิด/ปิด) @ 25°C 16ns/183ns
เงื่อนไขการทดสอบ 400V, 15A, 15 โอห์ม, 15V
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr) 110ns
อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ PG-TO252-3
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

IKD15N60R บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

IKD15N60R IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยวIKD15N60R IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยวIKD15N60R IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยวIKD15N60R IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable