Транзисторы IGBTs модуля силы IGB10N60TATMA1 IGBT одиночное
Категория:
Силовой модуль БТИЗ
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
IGB10N60TATMA1
Изготовитель:
Технологии Infineon
Описание:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Категория:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья:
Транзисторы - IGBTs - одиночные
Серия:
TrenchStop®
Введение
Спецификации IGB10N60TATMA1
| Состояние части | Активный |
|---|---|
| Тип IGBT | NPT, диафрагма поля зрения канавы |
| Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) | 600V |
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс) | 20A |
| Настоящий - пульсированный сборник (Icm) | 30A |
| Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 10A |
| Сила - Макс | 110W |
| Переключая энергия | 430µJ |
| Тип входного сигнала | Стандарт |
| Обязанность ворот | 62nC |
| Td (включено-выключено) @ 25°C | 12ns/215ns |
| Условие испытаний | 400V, 10A, 23 омов, 15V |
| Обратное время восстановления (trr) | - |
| Рабочая температура | -40°C | 175°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет/случай | TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB |
| Пакет прибора поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Пересылка | UPS/EMS/DHL/FedEx срочное. |
| Условие | Новая первоначальная фабрика. |
Упаковка IGB10N60TATMA1
Обнаружение
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable