Отправить сообщение
Домой > Products > Полевой транзистор > Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20015-E

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20015-E

Категория:
Полевой транзистор
Цена:
Negotiable
Метод оплаты:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Спецификации
Номер детали:
PD20015-E
Изготовитель:
STMicroelectronics
Описание:
TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Категория:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья:
Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Введение

Спецификации PD20015-E

Состояние части Активный
Тип транзистора LDMOS
Частота 2GHz
Увеличение 11dB
Напряжение тока - тест 13.6V
Настоящая оценка 7A
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 350mA
Сила - выход 15W
Расклассифицированное напряжение тока - 40V
Пакет/случай PowerSO-10RF подвергло нижняя пусковая площадка действию (2 сформированных руководства)
Пакет прибора поставщика PowerSO-10RF (сформированное руководство)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка PD20015-E

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20015-EОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20015-EОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20015-EОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля PD20015-E

Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
Negotiable