Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW39NC60VD IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW39NC60VD IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STGW39NC60VD
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
IGBT 600V 80A 250W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
PowerMESH™
Introdução

Especificações de STGW39NC60VD

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 80A
Atual - coletor pulsado (Icm) 220A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 30A
Poder - máximo 250W
Energia de comutação 333µJ (sobre), 537µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 126nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 33ns/178ns
Condição de teste 390V, 30A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 45ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STGW39NC60VD

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW39NC60VD IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de STGW39NC60VD IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de STGW39NC60VD IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de STGW39NC60VD IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable