Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGS30B60KTRRP IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGS30B60KTRRP IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
IRGS30B60KTRRP
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição:
IGBT 600V 78A 370W D2PAK
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações de IRGS30B60KTRRP

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 78A
Atual - coletor pulsado (Icm) 120A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.35V @ 15V, 30A
Poder - máximo 370W
Energia de comutação 350µJ (sobre), 825µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 102nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 46ns/185ns
Condição de teste 400V, 30A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Pacote do dispositivo do fornecedor D2PAK
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRGS30B60KTRRP

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGS30B60KTRRP IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGS30B60KTRRP IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGS30B60KTRRP IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGS30B60KTRRP IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable