Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Moduł mocy IGBT > IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG8CH29K10D
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Seria:
*
Wprowadzenie

IRG8CH29K10D Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Current - Collector (Ic) (Max) -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic -
Power - Max -
Switching Energy -
Input Type -
Gate Charge -
Td (on/off) @ 25°C -
Test Condition -
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature -
Mounting Type -
Package / Case -
Supplier Device Package -
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRG8CH29K10D Packaging

Detection

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable