STGW10M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy
Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
negocjowalne
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
STGW10M65DF2
Producent:
STMicroelectronics
Opis:
BRAMKA DO RÓWÓW ZATRZYMANIE POLA IGBT M SE
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Seria:
M
Wprowadzenie
Specyfikacje STGW10M65DF2
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ IGBT | Przystanek pola okopowego |
| Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) | 650 V |
| Prąd - kolektor (Ic) (maks.) | 20A |
| Prąd - Impuls kolektora (Icm) | 40A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2 V przy 15 V, 10 A |
| Moc — maks | 115 W |
| Przełączanie energii | 120 µJ (wł.), 270 µJ (wył.) |
| Typ wejścia | Standard |
| Opłata za bramkę | 28nC |
| Td (wł./wył.) @ 25°C | 19ns/91ns |
| Warunek testowy | 400V, 10A, 22 Ohm, 15V |
| Czas przywracania wstecznego (trr) | 96ns |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ mocowania | Przez otwór |
| Opakowanie / etui | TO-247-3 |
| Pakiet urządzeń dostawcy | TO-247 |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
STGW10M65DF2 Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable