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単一STGD6M65DF2 IGBT力モジュールのトランジスターIGBTs

カテゴリー:
IGBTパワーモジュール
価格:
Negotiable
支払方法:
T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
部品番号:
STGD6M65DF2
製造業者:
STMicroelectronics
記述:
堀のゲートFIELD-STOP IGBT、M S
部門:
単一トランジスター- IGBTs -
家族:
単一トランジスター- IGBTs -
シリーズ:
M
紹介

STGD6M65DF2指定

部分の状態 活動的
IGBTのタイプ 堀の視野絞り
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 650V
現在-コレクター((最高) IC) 12A
現在-脈打つコレクター(Icm) 24A
Vce () (最高) @ Vge、IC 2V @ 15V、6A
パワー最高 88W
転換エネルギー 36µJ ()、200µJ ()
入れられたタイプ 標準
ゲート充満 21.2nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 15ns/90ns
テスト条件 400V、6A、22オーム、15V
逆の回復時間(trr) 140ns
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63
製造者装置パッケージ DPAK
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

STGD6M65DF2包装

検出

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MOQ:
Negotiable