Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di IRF7307QTRPBF
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
IRF7307QTRPBF
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Serie:
HEXFET®
Introduzione
Specifiche di IRF7307QTRPBF
| Stato della parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo del FET | N e P-Manica |
| Caratteristica del FET | Portone del livello logico |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 5.2A, 4.3A |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 700mV @ 250µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Massimo elettrico | 2W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm) |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | 8-SO |
| Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
| Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di IRF7307QTRPBF
Rilevazione
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable