Transistor IGBTs del modulo di potere di FGA25N120ANTDTU IGBT singolo
Specificità
Descrizione:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Numero del pezzo:
FGA25N120ANTDTU
Produttore:
Semiconduttore di Fairchild/ON
Categoria:
Transistor - IGBTs - singoli
Famiglia:
Transistor - IGBTs - singoli
Introduzione
Specifiche di FGA25N120ANTDTU
Stato della parte | Attivo |
---|---|
Tipo di IGBT | NPT e fossa |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1200V |
Corrente - collettore (CI) (massimo) | 50A |
Corrente - collettore pulsato (Icm) | 90A |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.65V @ 15V, 50A |
Massimo elettrico | 312W |
Energia di commutazione | 4.1mJ (sopra), 960µJ (fuori) |
Tipo introdotto | Norma |
Tassa del portone | 200nC |
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C | 50ns/190ns |
Condizione di prova | 600V, 25A, 10 ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 350ns |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaggio del tipo | Attraverso il foro |
Pacchetto/caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-3P |
Spedizione | UPS/EMS/DHL/FedEx preciso. |
Circostanza | Nuova fabbrica originale. |
Imballaggio di FGA25N120ANTDTU
Rilevazione
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Stoccaggio:
MOQ:
Negotiable