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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF24300NR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF24300NR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF24300NR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF24300NR3
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF24300NR3
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
TRASPORTO 2450MHZ 300 DI POTERE LDMOS DI RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF24300NR3

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.45GHz
Guadagno 13.1dB
Tensione - prova 32V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 330W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso OM-780-2
Pacchetto del dispositivo del fornitore OM-780-2
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF24300NR3

Rilevazione

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