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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6VP3450HR6

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6VP3450HR6

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6VP3450HR6
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6VP3450HR6
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF6VP3450HR6
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF6VP3450HR6

Stato della parte Non per le nuove progettazioni
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 860MHz
Guadagno 22.5dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.4A
Uscita elettrica 90W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso NI-1230
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6VP3450HR6

Rilevazione

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