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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25NR6

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25NR6

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25NR6
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25NR6
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRFE6VP61K25NR6
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
Trasporto RF LDMOS 1250W 50V
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRFE6VP61K25NR6

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 230MHz
Guadagno 23dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 1250W
Tensione - stimata 133V
Pacchetto/caso OM-1230-4L
Pacchetto del dispositivo del fornitore OM-1230-4L
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRFE6VP61K25NR6

Rilevazione

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