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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20165WHSR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20165WHSR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20165WHSR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8P20165WHSR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8P20165WHSR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF8P20165WHSR5

Stato della parte Cessato alla Digi-chiave
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 1.98GHz ~ 2.01GHz
Guadagno 14.8dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 550mA
Uscita elettrica 37W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780S-4
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780S-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8P20165WHSR5

Rilevazione

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