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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26060HSR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26060HSR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26060HSR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26060HSR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8S26060HSR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 65V 2.69GHZ
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF8S26060HSR5

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.69GHz
Guadagno 16.3dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica 15.5W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-400S-240
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-400S-240
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S26060HSR5

Rilevazione

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