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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S9260HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S9260HR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S9260HR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S9260HR3
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8S9260HR3
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 70V 960MHZ NI-880H
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF8S9260HR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 960MHz
Guadagno 18.6dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.7A
Uscita elettrica 75W
Tensione - stimata 70V
Pacchetto/caso NI-880
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-880
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S9260HR3

Rilevazione

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