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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > BLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF6G27LS-50BN, 112
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF6G27LS-50BN, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 2.5GHz ~ 2.7GHz
Guadagno 16.5dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente 12A
Figura di rumore -
Corrente - prova 430mA
Uscita elettrica 3W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso SOT-1112B
Pacchetto del dispositivo del fornitore CDFM6
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF6G27LS-50BN, 112 che imballano

Rilevazione

BLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF6G27LS-50BN, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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