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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF8S26120HSR3
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF8S26120HSR3

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 2.69GHz
Guadagno 15.6dB
Tensione - prova 28V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 900mA
Uscita elettrica 28W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso NI-780S
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-780S
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF8S26120HSR3

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF8S26120HSR3

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