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Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di MAGX-002731-180L0S

Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MAGX-002731-180L0S
Produttore:
Soluzioni di tecnologia di M/A-Com
Descrizione:
TRANSISTOR RF 180W GAN
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche di MAGX-002731-180L0S

Stato della parte Obsoleto
Tipo del transistor HEMT
Frequenza 2.7GHz ~ 3.1GHz
Guadagno 11.8dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente 10A
Figura di rumore -
Corrente - prova 500mA
Uscita elettrica 215W
Tensione - stimata 65V
Pacchetto/caso -
Pacchetto del dispositivo del fornitore -
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di MAGX-002731-180L0S

Rilevazione

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Negotiable