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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
AFT05MS004NT1
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 30V 520MHZ PLD
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche AFT05MS004NT1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 520MHz
Guadagno 20.9dB
Tensione - prova 7.5V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 4.9W
Tensione - stimata 30V
Pacchetto/caso TO-243AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-89-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare AFT05MS004NT1

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS004NT1

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