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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
AFT05MS003NT1
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
TRASPORTO RF LDMOS DI IC
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche AFT05MS003NT1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 520MHz
Guadagno 20.8dB
Tensione - prova 7.5V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 3W
Tensione - stimata 30V
Pacchetto/caso TO-243AA
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-89-3
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare AFT05MS003NT1

Rilevazione

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo AFT05MS003NT1

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