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Casa. > Products > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25HR5

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25HR5
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRFE6VP61K25HR5
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRFE6VP61K25HR5
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRFE6VP61K25HR5

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio)
Frequenza 230MHz
Guadagno 24dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 100mA
Uscita elettrica 1250W
Tensione - stimata 133V
Pacchetto/caso NI-1230
Pacchetto del dispositivo del fornitore NI-1230
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRFE6VP61K25HR5

Rilevazione

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