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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > BLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

BLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
BLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
BLF879P, 112
Produttore:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
FET LDMOS 104V 21DB SOT539A di RF
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

BLF879P, 112 specifiche

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS (doppio), fonte comune
Frequenza 860MHz
Guadagno 21dB
Tensione - prova 42V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 1.3A
Uscita elettrica 200W
Tensione - stimata 104V
Pacchetto/caso SOT539A
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT539A
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

BLF879P, 112 che imballano

Rilevazione

BLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETsBLF879P, un chip di 112 di campo di effetto del transistor dei transistor MOSFETs rf dei FETs

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