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Casa. > prodotti > Transistor ad effetto di campo > Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2150NR1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2150NR1

Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2150NR1
Chip dei MOSFETs rf dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo MRF6V2150NR1
Categoria:
Transistor ad effetto di campo
Prezzo:
Negotiable
Metodo di pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificità
Numero del pezzo:
MRF6V2150NR1
Produttore:
NXP USA Inc.
Descrizione:
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Famiglia:
Transistor - FETs, MOSFETs - rf
Introduzione

Specifiche MRF6V2150NR1

Stato della parte Attivo
Tipo del transistor LDMOS
Frequenza 220MHz
Guadagno 25dB
Tensione - prova 50V
Valutazione corrente -
Figura di rumore -
Corrente - prova 450mA
Uscita elettrica 150W
Tensione - stimata 110V
Pacchetto/caso TO-270AB
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-270 WB-4
Spedizione UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza Nuova fabbrica originale.

Imballare MRF6V2150NR1

Rilevazione

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