Mengirim pesan
Rumah > Produk > Transistor Efek Medan > IRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

IRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IRFHS8342TRPBF
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
HEXFET®
Pengantar

Spesifikasi IRFHS8342TRPBF

Bagian Status Aktif
Tipe FET Saluran-N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) 30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C 8,8A (Ta), 19A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 8.7nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 600pF @ 25V
Vg (Maks) ±20V
Fitur FET -
Disipasi Daya (Maks) 2.1W (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan Permukaan gunung
Paket Perangkat Pemasok 8-PQFN
Paket / Kasus 8-PowerVDFN
Pengiriman UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Kondisi Pabrik asli baru.

Kemasan IRFHS8342TRPBF

Deteksi

IRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET TunggalIRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable