IRFHS8342TRPBF Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Spesifikasi
Nomor Bagian:
IRFHS8342TRPBF
Pabrikan:
Teknologi Infineon
Keterangan:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
HEXFET®
Pengantar
Spesifikasi IRFHS8342TRPBF
Bagian Status | Aktif |
---|---|
Tipe FET | Saluran-N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 30V |
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 8,8A (Ta), 19A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 600pF @ 25V |
Vg (Maks) | ±20V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 2.1W (Ta) |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
Paket Perangkat Pemasok | 8-PQFN |
Paket / Kasus | 8-PowerVDFN |
Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan IRFHS8342TRPBF
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable