CSD23202W10 Transistor Efek Medan Transistor FET MOSFET Tunggal
Kategori:
Transistor Efek Medan
Harga:
Negotiable
Cara Pembayaran:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spesifikasi
Nomor Bagian:
CSD23202W10
Pabrikan:
Instrumen Texas
Keterangan:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
kategori:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keluarga:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Seri:
NexFET™
Pengantar
Spesifikasi CSD23202W10
| Bagian Status | Aktif |
|---|---|
| Tipe FET | Saluran-P |
| Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 12V |
| Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 512pF @ 6V |
| Vg (Maks) | -6V |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 1W (Ta) |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pemasangan | Permukaan gunung |
| Paket Perangkat Pemasok | 4-DSBGA (1x1) |
| Paket / Kasus | 4-UFBGA, DSBGA |
| Pengiriman | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Kondisi | Pabrik asli baru. |
Kemasan CSD23202W10
Deteksi
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
Negotiable