BSO615CT-Feld-Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs-Reihen
Spezifikationen
Teilnummer:
BSO615CT
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Reihen
Reihe:
SIPMOS®
Einleitung
BSO615CT-Spezifikationen
Teil-Status | Veraltet |
---|---|
Fet-Art | N und P-Kanal |
Fet-Eigenschaft | Tor des logischen Zustandes |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 60V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 3.1A, 2A |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 2V @ 20µA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 380pF @ 25V |
Macht- maximales | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | 8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite) |
Lieferanten-Gerät-Paket | PG-DSO-8 |
Versand | UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich. |
Bedingung | Neue ursprüngliche Fabrik. |
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Entdeckung
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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable