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Effekt-Transistor-Transistoren FETs MOSFETs Rf-Chip des Feld-MRF6V13250HR3

Kategorie:
Feldeffekttransistor
Preis:
Negotiable
Zahlungs-Methode:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Teilnummer:
MRF6V13250HR3
Hersteller:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
Fet-RF 120V 1.3GHZ NI-780
Kategorie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Familie:
Transistoren - FETs, MOSFETs - Rf
Einleitung

Spezifikationen MRF6V13250HR3

Teil-Status Eingestellt am Digi-Schlüssel
Transistor-Art LDMOS
Frequenz 1.3GHz
Gewinn 22.7dB
Spannung - Test 50V
Gegenwärtige Bewertung -
Rauschmaß -
Gegenwärtig - Test 100mA
Leistungsabgabe 250W
Spannung - bewertet 120V
Paket/Fall NI-780
Lieferanten-Gerät-Paket NI-780
Versand UPS/EMS/DHL/FedEx ausdrücklich.
Bedingung Neue ursprüngliche Fabrik.

Verpacken MRF6V13250HR3

Entdeckung

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Lagerbestand:
MOQ:
Negotiable